本章では、マイクロ波回路設計によく用いるデバイスの原理、機能、特徴を紹介する。

　5.1 トランジスタ
　ベース電流でコレクタ電流を制御する素子。増幅器や逓倍器、スィッチ等様々なマイクロ波回路に用いられる。

　5.2 FET(Field Effect Transistor）
　ゲート電圧でドレイン電流を制御する素子。増幅器や逓倍器、スィッチ等様々なマイクロ波回路に用いられる。

　5.3 HEMT (High Electron Mobility Transistor）
　ゲート電圧でドレイン電流を制御する素子。用途はFETと同じであるが、通常のFETに比べ、高速・低雑音性に優れている。

　5.4 ダイオード
　マイクロ波回路設計ではショットキーダイオード、PINダイオード、バラクタダイオードが用いられる。ショットキーダイオードは検波器に、PINダイオードはスイッチや可変減衰器に、バラクタダイオードは移相器に用いられる。